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घर > उत्पाद > असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद > ट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगल > SI4688DY-T1-E3

SI4688DY-T1-E3

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खरीदारी की प्रक्रिया

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र:3V @ 250µA
प्रौद्योगिकी:MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज:8-SO
शृंखला:TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस:11 mOhm @ 12A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स):1.4W (Ta)
पैकेजिंग:Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस:1580pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:38nC @ 10V
FET प्रकार:N-Channel
FET फ़ीचर:-
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss):30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:8.9A (Ta)


यदि आपको गलत संकलन मिला है जो आपने आदेश नहीं दिया है। हम शोध करेंगे कि इस मुद्दे के बारे में जिम्मेदारी कौन लेगा।
यदि यह हमारा है, तो हम गलत तरीके से भेजे जाने के बाद एक्सचेंज गुड्स के लिए सही कॉम्पेंट्स डिलीवरी करेंगे।
यदि यह आपका है, तो ग्राहक इसके बारे में जिम्मेदारी लेगा। विवरण के लिए, कृपया हमारी ग्राहक सेवा या बिक्री से संपर्क करें।

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