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घर > उत्पाद > असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद > ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (बीजेटी) - एरेज़, पूर्व-प > UP04213G0L

UP04213G0L

UP04213G0L
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खरीदारी की प्रक्रिया

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स):50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी:250mV @ 300µA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
प्रदायक डिवाइस पैकेज:SSMini6-F2
शृंखला:-
रोकनेवाला - emitter बेस (R2) (ओम):47k
रोकनेवाला - बेस (आर 1) (ओम):47k
पावर - मैक्स:125mW
पैकेजिंग:Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण:SOT-563, SOT-666
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आवृत्ति - संक्रमण:150MHz
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce:80 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स):500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स):100mA


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