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घर > उत्पाद > असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद > ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (बीजेटी) - एरेज़, पूर्व-प > NSVMUN5312DW1T3G

NSVMUN5312DW1T3G

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खरीदारी की प्रक्रिया

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स):50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी:250mV @ 300µA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
प्रदायक डिवाइस पैकेज:SC-88/SC70-6/SOT-363
शृंखला:-
रोकनेवाला - emitter बेस (R2) (ओम):22k
रोकनेवाला - बेस (आर 1) (ओम):22k
पावर - मैक्स:250mW
पैकेजिंग:Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आवृत्ति - संक्रमण:-
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce:60 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स):500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स):100mA


यदि आपको गलत संकलन मिला है जो आपने आदेश नहीं दिया है। हम शोध करेंगे कि इस मुद्दे के बारे में जिम्मेदारी कौन लेगा।
यदि यह हमारा है, तो हम गलत तरीके से भेजे जाने के बाद एक्सचेंज गुड्स के लिए सही कॉम्पेंट्स डिलीवरी करेंगे।
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