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ISL6608IRZ

ISL6608IRZ
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खरीदारी की प्रक्रिया

वोल्टेज आपूर्ति:4.5 V ~ 5.5 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज:8-QFN (3x3)
शृंखला:-
उठो / पतन समय (टाइप):8ns, 8ns
पैकेजिंग:Tube
पैकेज / प्रकरण:8-VQFN Exposed Pad
परिचालन तापमान:-40°C ~ 125°C (TJ)
इनपुट आवृत्ति:2
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
तर्क वोल्ट - वीआईएल, VIH:-
इनपुट प्रकार:Non-Inverting
उच्च पक्ष वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप):22V
गेट प्रकार:N-Channel MOSFET
प्रेरित कॉन्फ़िगरेशन:Half-Bridge
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक):2A, 2A
आधार emitter संतृप्ति वोल्टेज (मैक्स):Synchronous


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